г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDP045N10AF102 Fairchild Semiconductor

Артикул
FDP045N10AF102
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF, N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
396 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDP045N10AF102.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
120A (Tc)
4.5mOhm @ 100A, 10V
4V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
5270 pF @ 50 V
-
N-Channel
263W (Tc)
TO-220-3
PowerTrench®
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
0000.00.0000
FAIFSCFDP045N10AF102,2156-FDP045N10AF102ND
1
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: B32000
Бренд: American Standard
Описание: MADERA 16-1/2" H ADA ELONGATED T,
Подробнее
Артикул: 1N5235B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 500MW, Zener Diode 6.8 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: SIR826ADP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8, N-Channel 80 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: IXGN400N30A3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 300V 400A 735W SOT227B, IGBT Module PT Single 300 V 400 A 735 W Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: A-82CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .390,L= 1.00,W= .035,
Подробнее
Артикул: MJE18006
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 450V 6A TO-220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 6 A 14MHz 100 W Through Hole TO-220
Подробнее