г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDP2D9N12C onsemi

Артикул
FDP2D9N12C
Бренд
onsemi
Описание
PTNG 120V N-FET TO220, N-Channel 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 2.4W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
769 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDP2D9N12C.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
120 V
18A (Ta), 210A (Tc)
6V, 10V
2.9mOhm @ 100A, 10V
4V @ 686µA
109 nC @ 10 V
±20V
8894 pF @ 60 V
-
2.4W (Ta), 333W (Tc)
N-Channel
TO-220
Not Applicable
PowerTrench®
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
800
FDP2
ROHS3 Compliant
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6057
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 12 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: IRFB7534PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFS4127PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BD237STU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 2A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 3MHz 25 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: 1292-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: B221931
Бренд: Leeson
Описание: 7.5 HP, PEM, 208-230/460V, 1765,
Подробнее