г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDP55N06 Fairchild Semiconductor

Артикул
FDP55N06
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, N-Channel 60 V 55A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
140 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDP55N06.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
55A (Tc)
22mOhm @ 27.5A, 10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±25V
1510 pF @ 25 V
-
N-Channel
114W (Tc)
TO-220-3
UniFET™
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
0000.00.0000
2156-FDP55N06,ONSFSCFDP55N06
1
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: HUF76629D3S
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA, N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: IRGP4062D-EPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: EGP10B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: DSI30-08A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC, Diode Standard 800 V 30A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: DTA114EKAT146
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SMT3
Подробнее
Артикул: VS-10CSH01HM3/86A
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 100V 5A TO277A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100 V 5A Surface Mount TO-277, 3-PowerDFN
Подробнее