г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDP8440 Fairchild Semiconductor

Артикул
FDP8440
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 40 V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
400 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDP8440.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
40 V
100A (Tc)
2.2mOhm @ 80A, 10V
3V @ 250µA
450 nC @ 10 V
±20V
24740 pF @ 25 V
-
306W (Tc)
TO-220-3
PowerTrench®
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
FAIFSCFDP8440,2156-FDP8440
1
4.5V, 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1246-38-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: SF1200-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SOD57, Diode Standard 1200 V 1A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: 1291-43-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: MUBW15-12A7
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 35A 180W E2, IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 1200 V 35 A 180 W Chassis Mount E2
Подробнее
Артикул: 1488-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: GB02SLT12-220
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 2A Through Hole TO-220-2
Подробнее