г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDP8896 onsemi

Артикул
FDP8896
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3, N-Channel 30 V 16A (Ta), 92A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
255 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDP8896.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
16A (Ta), 92A (Tc)
4.5V, 10V
5.9mOhm @ 35A, 10V
2.5V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
2525 pF @ 15 V
-
80W (Tc)
TO-220-3
ONSONSFDP8896,2156-FDP8896-OS
PowerTrench®
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
800
FDP88
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SB1H100-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL, Diode Schottky 100 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: DTC043ZEBTL
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Подробнее
Артикул: MPSA14G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: DSP8-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO220AB, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200 V 11A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: PBSS4260PANPSX
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA PBSS4260P - 60 V, 2 A U, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1N4448
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .3A, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее