г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDS2672 onsemi

Артикул
FDS2672
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC, N-Channel 200 V 3.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Цена
339 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDS2672.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
200 V
3.9A (Ta)
6V, 10V
70mOhm @ 3.9A, 10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2535 pF @ 100 V
-
2.5W (Ta)
8-SOIC
FDS2672TR,FDS2672CT,FDS2672DKR
UltraFET™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
EAR99
8541.29.0095
2,500
FDS26
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1251-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: MRFE6VP6300HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4
Подробнее
Артикул: XL1000-BD-000V
Бренд: MACOM
Описание: LOW NOISE AMPLIFIER,
Подробнее
Артикул: IXFX200N10P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3, N-Channel 100 V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: IKD06N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3, IGBT Trench 600 V 12 A 100 W Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FDS6961A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее