г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDS6680 onsemi

Артикул
FDS6680
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC, N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Цена
164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDS6680.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
11.5A (Ta)
4.5V, 10V
10mOhm @ 11.5A, 10V
3V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
2070 pF @ 15 V
-
2.5W (Ta)
N-Channel
8-SOIC
FDS6680DKR,FDS6680CT,FDS6680TR
PowerTrench®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
EAR99
8541.29.0095
2,500
FDS66
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: APT15GP90BDQ1G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 900V 43A 250W TO247, IGBT PT 900 V 43 A 250 W Through Hole TO-247 [B]
Подробнее
Артикул: IXTP44P15T
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB, P-Channel 150 V 44A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FGL60N100BNTD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1000V 60A 180W TO264, IGBT NPT and Trench 1000 V 60 A 180 W Through Hole TO-264-3
Подробнее
Артикул: FS75R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 350W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 105 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: C3D02060F
Бренд: Wolfspeed
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 4A (DC) Through Hole TO-220-F2
Подробнее
Артикул: STTA212S
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC, Diode Standard 1200 V 2A Surface Mount SMC
Подробнее