г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDS6812A onsemi

Артикул
FDS6812A
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.7A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/FDS6812A.jpg
900mW
2 N-Channel (Dual)
20V
6.7A
22mOhm @ 6.7A, 4.5V
1.5V @ 250µA
19nC @ 4.5V
1082pF @ 10V
Logic Level Gate
8-SOIC
1 (Unlimited)
FDS68
PowerTrench®
Tape & Reel (TR)
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
EAR99
8541.21.0095
2,500
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CSD87384M
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 30A 8W Surface Mount 5-PTAB (5x3.5)
Подробнее
Артикул: 1375-10-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: 1538-A-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: STI33N60M2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK, N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Подробнее
Артикул: NTE103
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN GE-AF PREAMP DR PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 24 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1138-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/4 RD X 1 1/8 X .140 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.125" (28.58mm) -
Подробнее