г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDU3N40TU Fairchild Semiconductor

Артикул
FDU3N40TU
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, N-Channel 400 V 2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Цена
38 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDU3N40TU.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
400 V
2A (Tc)
3.4Ohm @ 1A, 10V
5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±30V
225 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
I-PAK
UniFET™
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
0000.00.0000
2156-FDU3N40TU,FAIFSCFDU3N40TU
1
FDU3
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBRD10100
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK, Diode Schottky 100 V Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: TO-9-090
Бренд: Bivar
Описание: SPACER TUBULAR GEN PURP 0.090", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Tubular 0.090" (2.29mm) Natural
Подробнее
Артикул: 1N4001-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: SPP04N60C2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: LKB-A-3-1/2
Бренд: Eaton
Описание: FUSE BUSS SMALL DIMENSION,
Подробнее
Артикул: IRGP30B120KD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 60 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее