г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FEPB16DT-E3/45 VISHAY

Артикул
FEPB16DT-E3/45
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE ARRAY GP 200V 8A TO263AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 8A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена
296 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
files/FEPB16DT-E345.jpg
50
Surface Mount
Standard
200 V
950 mV @ 8 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
35 ns
10 µA @ 200 V
-55°C ~ 150°C
1 Pair Common Cathode
FEPB16DT-E3/45-ND,FEPB16DT-E3/45GI
8541.10.0080
-
Tube
Active
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263AB (D?PAK)
FEPB16
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8A

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1217-25-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: 2N5684
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 50 A 2MHz 300 mW Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: IRF121
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 60V 8A TO204AA, N-Channel 60 V 8A (Ta) Chassis Mount TO-204AA
Подробнее
Артикул: 2N3766
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN POWER SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 500 µA - 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Подробнее
Артикул: IRF6645
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET, N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Подробнее
Артикул: JT-003
Бренд: ECG
Описание: HEAT BLOWER DEFLECTOR,
Подробнее