г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF100R12RT4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 100A 555W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module
Цена
11 526 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF100R12RT4HOSA1.jpg
FF100R12RT4-ND,SP000624754,FF100R12RT4
2 Independent
555 W
1200 V
100 A
Standard
Trench Field Stop
2.15V @ 15V, 100A
No
1 mA
FF100R12
Chassis Mount
10
-
Bulk
Active
-40°C ~ 150°C
Module
Module
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
630 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AOSS32136C
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3, N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Подробнее
Артикул: SP-20-SS
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1-1/4" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: SBL1645
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AC, Diode Schottky 45 V 16A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: MSS1P4HM3_A/H
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount MicroSMP (DO-219AD)
Подробнее
Артикул: NTMTSC1D5N08MC
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW, N-Channel 80 V 33A (Ta), 287A (Tc) 3.3W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Подробнее
Артикул: TIP29C
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 1A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее