г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF100R12RT4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 100A 555W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module
Цена
11 526 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF100R12RT4HOSA1.jpg
FF100R12RT4-ND,SP000624754,FF100R12RT4
2 Independent
555 W
1200 V
100 A
Standard
Trench Field Stop
2.15V @ 15V, 100A
No
1 mA
FF100R12
Chassis Mount
10
-
Bulk
Active
-40°C ~ 150°C
Module
Module
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
630 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: UD0506T-TL-H
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA, Diode Standard 600 V 5A Surface Mount TP-FA
Подробнее
Артикул: TIP110G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BCX68-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BAW56HYFHT116
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 80 V 215mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRFR2407PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FDH50N50
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3, N-Channel 500 V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247
Подробнее