г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF200R12KS4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Цена
27 844 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF200R12KS4HOSA1.jpg
SP000100707,FF200R12KS4-ND,FF200R12KS4
2 Independent
1400 W
1200 V
275 A
Standard
-
3.7V @ 15V, 200A
No
5 mA
FF200R12
Chassis Mount
10
-
Bulk
Active
-40°C ~ 125°C
Module
Module
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
13 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFS9N60A
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK, N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: UF600G
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE UFR D8X7.5 400V 6A, Diode Standard 400 V 6A Through Hole P600
Подробнее
Артикул: 1N5231CTR
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±2% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 6929-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: SHOULDER SCREWPLAIN STEEL5/16HD, #8-32 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Steel
Подробнее
Артикул: BR68
Бренд: Rectron
Описание: BRIDGE RECT 800V 6A BR-6, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole BR-6
Подробнее
Артикул: BSC360N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON, N-Channel 150 V 33A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее