г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF200R12KS4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Цена
27 844 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF200R12KS4HOSA1.jpg
SP000100707,FF200R12KS4-ND,FF200R12KS4
2 Independent
1400 W
1200 V
275 A
Standard
-
3.7V @ 15V, 200A
No
5 mA
FF200R12
Chassis Mount
10
-
Bulk
Active
-40°C ~ 125°C
Module
Module
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
13 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0448-S-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELCLEAR ZINC3/8 HD X, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: 0212-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STAINLESS STE, 1/4"-20 Knob Panel Screw Slotted Drive Stainless Steel
Подробнее
Артикул: 1N4732A
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 4.7V 1MW DO41, Zener Diode 4.7 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: SPK-32-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2" ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: 211PL022S6010
Бренд: WEC
Описание: ASM CONN 2 M SICMA-3 1.5 BLU,
Подробнее
Артикул: A2T26H160-24SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S, RF Mosfet LDMOS (Dual) 28 V 350 mA 2.58GHz 15.5dB 28W NI-780S-4L2L
Подробнее