г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF200R12KS4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Цена
27 844 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF200R12KS4HOSA1.jpg
SP000100707,FF200R12KS4-ND,FF200R12KS4
2 Independent
1400 W
1200 V
275 A
Standard
-
3.7V @ 15V, 200A
No
5 mA
FF200R12
Chassis Mount
10
-
Bulk
Active
-40°C ~ 125°C
Module
Module
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
13 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BLF978PU
Бренд: Ampleon
Описание: BLF978P/SOT539/TRAY, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50 V 50 mA 700MHz 24.5dB 1200W SOT539A
Подробнее
Артикул: NTMFD4901NFT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 17.9A 1.1W, 1.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Подробнее
Артикул: S1A-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA, Diode Standard 50 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: IRGS4620DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 32A 140W D2PAK, IGBT - 600 V 32 A 140 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BUL38D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 450V 5A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 5 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: STTH3006DPI
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I, Diode Standard 600 V 30A Through Hole DOP3I
Подробнее