г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF600R12KE4BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Цена
44 968 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF600R12KE4BOSA1.jpg
FF600R12
FF600R12KE4,SP001500368
Half Bridge
1200 V
600 A
Standard
Trench Field Stop
2.2V @ 15V, 600A
No
5 mA
Chassis Mount
10
8541.29.0095
C
Tray
Active
-40°C ~ 150°C
Module
Module
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
38 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRLHS6242TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN, N-Channel 20 V 10A (Ta), 12A (Tc) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: SK26A R3G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC, Diode Schottky 60 V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: TO-5-070
Бренд: Bivar
Описание: SPACER TUBULAR GEN PURP 0.070", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Tubular 0.070" (1.78mm) Natural
Подробнее
Артикул: CX5003
Бренд: American Hakko Products
Описание: BASE,CLEANER,HU-200,
Подробнее
Артикул: MRF8S18120HSR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF L BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: MMRF1013HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ, RF Mosfet LDMOS (Dual) 30 V 100 mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230-4H
Подробнее