г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF600R12ME4BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF600R12ME4BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 4050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 4050 W Chassis Mount Module
Цена
55 571 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF600R12ME4BOSA1.jpg
FF600R12
FF600R12ME4,FF600R12ME4-ND,SP000635448
2 Independent
4050 W
1200 V
Standard
Trench Field Stop
2.1V @ 15V, 600A
Yes
3 mA
Chassis Mount
10
-
Bulk
Not For New Designs
-40°C ~ 150°C
Module
Module
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
37 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PZTA42T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS SS NPN 50MA 300V SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 1.5 W Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Подробнее
Артикул: IRGP4063DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 96A TO247AC, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: MP+STICK
Бренд: 3M
Описание: FIRE BARRIER MP+ STICK IN TUBE, Fire Barrier Moldable Putty
Подробнее
Артикул: PP9063
Бренд: Microsemi
Описание: TRANSISTOR NPN, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1N4006
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO-41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 1N5309
Бренд: Solid State
Описание: FED 3 MA DO35, Diode Standard 100 V - Through Hole DO-35
Подробнее