г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF600R12ME4CBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF600R12ME4CBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 1060A 4050W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 1060 A 4050 W Chassis Mount Module
Цена
58 920 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF600R12ME4CBOSA1.jpg
FF600R12
FF600R12ME4C-ND,SP001064430,INFINFFF600R12ME4CBOSA1,2156-FF600R12ME4CBOSA1,FF600R12ME4C
Half Bridge
4050 W
1200 V
1060 A
Standard
Trench Field Stop
2.1V @ 15V, 600A
Yes
3 mA
Chassis Mount
10
-
Bulk
Not For New Designs
-40°C ~ 150°C (TJ)
Module
Module
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
37 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZV55-C51,135
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 51V 500MW LLDS, Zener Diode 51 V 500 mW ±5% Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее
Артикул: R30-3001002
Бренд: Harwin
Описание: HEX STANDOFF M3X0.5 BRASS 10MM, Hex Standoff Threaded M3x0.5 Brass 0.394" (10.00mm) -
Подробнее
Артикул: BZT52C8V2S
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD-323, Zener Diode 8.2 V 200 mW ±5% Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: MJ15004G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 140V 20A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 20 A 2MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FQP20N06
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, N-Channel 60 V 20A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: AMAX-5057SO-A
Бренд: Advantech
Описание:

16-CH SOURCE TYPE DO MODULE, Output Module DIN Rail 10 ~ 30VDC

Подробнее