г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF600R12ME4CBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF600R12ME4CBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 1060A 4050W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 1060 A 4050 W Chassis Mount Module
Цена
58 920 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF600R12ME4CBOSA1.jpg
FF600R12
FF600R12ME4C-ND,SP001064430,INFINFFF600R12ME4CBOSA1,2156-FF600R12ME4CBOSA1,FF600R12ME4C
Half Bridge
4050 W
1200 V
1060 A
Standard
Trench Field Stop
2.1V @ 15V, 600A
Yes
3 mA
Chassis Mount
10
-
Bulk
Not For New Designs
-40°C ~ 150°C (TJ)
Module
Module
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
37 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5408-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD, Diode Standard 1000 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: P-6466
Бренд: WEC
Описание: TRANSFORMER POWER 3.0A 6.3 C.T.,
Подробнее
Артикул: KSE2955T
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS PNP 60V 10A TO220-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 2MHz 600 mW Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: HSMS-2822-BLKG
Бренд: Broadcom Limited
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 15V 1 A SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IPN70R600P7SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223, N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 6.9W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: BSN20-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23, N-Channel 50 V 500mA (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее