г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF75R12RT4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF75R12RT4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 75A 395W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 75 A 395 W Chassis Mount Module
Цена
10 417 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FF75R12RT4HOSA1.jpg
FF75R12RT4,FF75R12RT4-ND,SP000624916
2 Independent
395 W
1200 V
75 A
Standard
Trench Field Stop
2.15V @ 15V, 75A
No
1 mA
FF75R12
Chassis Mount
10
-
Bulk
Active
-40°C ~ 150°C
Module
Module
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
4.3 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2103-12S
Бренд: Techspray
Описание: FINE-L-KOTE AR CONFORMAL COATING, Acrylic Conformal Coating Aerosol, 12 oz (340.19g) Clear
Подробнее
Артикул: 1234-B
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB FLUTED 0.236" POLYPROPYLENE, Fluted Knob 0.236" (6.00mm) Shaft with Line on Top and Side Polypropylene Black
Подробнее
Артикул: RS402L
Бренд: Rectron
Описание: BRIDGE RECT GLASS 100V 4A RS-4L, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V Through Hole RS-4L
Подробнее
Артикул: RB521S30,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA RB521S30 - RECTIFIER DI, Diode Schottky 30 V 200mA Surface Mount SOD-523
Подробнее
Артикул: MRF6S20010NR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2, RF Mosfet LDMOS 28 V 130 mA 2.17GHz 15.5dB 10W TO-270-2
Подробнее
Артикул: BLF1043,112
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A, RF Mosfet LDMOS 26 V 85 mA 960MHz 18.5dB 10W 2-CSMD
Подробнее