г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FFSP20120A onsemi

Артикул
FFSP20120A
Бренд
onsemi
Описание
DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 20A Through Hole TO-220-2L
Цена
1 357 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/FFSP20120A.jpg
REACH Unaffected
200 µA @ 1200 V
1.75 V @ 20 A
Silicon Carbide Schottky
1200 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
-55°C ~ 175°C
20A
TO-220-2L
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Tube
Active
Through Hole
TO-220-2
EAR99
8541.10.0080
800
FFSP20120
1220pF @ 1V, 100KHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXBH9N160G
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1600V 9A 100W TO247AD, IGBT - 1600 V 9 A 100 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 0501-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL1/2HD X, 1/4"-28 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: IPD95R2K0P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3, N-Channel 950 V 4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: STGW40V60DF
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 80A 283W TO247, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 283 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BCP56-16
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT SOT-223 80V 1000MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 2 W Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее