г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA25N120ANDTU onsemi

Артикул
FGA25N120ANDTU
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 40A 310W TO3P, IGBT NPT 1200 V 40 A 310 W Through Hole TO-3P
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA25N120ANDTU.jpg
40 A
1200 V
310 W
REACH Unaffected
350 ns
NPT
3.2V @ 15V, 25A
75 A
4.8mJ (on), 1mJ (off)
200 nC
60ns/170ns
Standard
TO-3P
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA25
1 (Unlimited)
600V, 25A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4PH40KDPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG, IGBT - 1200 V 30 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPD70R1K4P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3, N-Channel 700 V 4A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRLU2905PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: STPS3150
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO201AD, Diode Schottky 150 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: MMBT4403LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 40V 600MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: USB260-E3/52T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA, Diode Standard 600 V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее