г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi

Артикул
FGA25N120ANTDTU-F109
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 50A 312W TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
Цена
625 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA25N120ANTDTU-F109.jpg
Standard
50 A
1200 V
312 W
REACH Unaffected
350 ns
NPT and Trench
2.65V @ 15V, 50A
90 A
4.1mJ (on), 960µJ (off)
200 nC
50ns/190ns
TO-3P
FGA25N120ANTDTU_F109,FGA25N120ANTDTU_F109-ND
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA25N120
ROHS3 Compliant
Not Applicable
600V, 25A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJD44H11
Бренд: onsemi
Описание: TRANS POWER NPN 8A 80V DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 85MHz 20 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 0265-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS9/16HD X, 1/4"-28 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: MBRD320
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DPAK, Diode Schottky 20 V 3A Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: STGF15M65DF2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE, IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 31 W Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: IRF6721STRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET, N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Подробнее
Артикул: U336-000-R
Бренд: Tripp Lite
Описание: USB 3.0 TO ETHERNET ADAPTER,
Подробнее