г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi

Артикул
FGA25N120ANTDTU-F109
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 50A 312W TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
Цена
625 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA25N120ANTDTU-F109.jpg
Standard
50 A
1200 V
312 W
REACH Unaffected
350 ns
NPT and Trench
2.65V @ 15V, 50A
90 A
4.1mJ (on), 960µJ (off)
200 nC
50ns/190ns
TO-3P
FGA25N120ANTDTU_F109,FGA25N120ANTDTU_F109-ND
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA25N120
ROHS3 Compliant
Not Applicable
600V, 25A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1515-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/4 HEX X 2, Hex Spacer Unthreaded - Steel 2.000" (50.80mm) 2" -
Подробнее
Артикул: STTA12006TV1
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE MODULE 600V 60A ISOTOP, Diode Array 2 Independent Standard 600 V 60A Chassis Mount ISOTOP
Подробнее
Артикул: HSMP-3864-TR1G
Бренд: Broadcom Limited
Описание: RF DIODE PIN 50V SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 50V 1 A SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N5343B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 7.5V 5W AXIAL, Zener Diode 7.5 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MJD127T4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A - 20 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: MRF282ZR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 2GHZ NI-200Z, RF Mosfet LDMOS 26 V 75 mA 2GHz 11.5dB 10W NI-200Z
Подробнее