г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi

Артикул
FGA25N120ANTDTU-F109
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 50A 312W TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
Цена
625 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA25N120ANTDTU-F109.jpg
Standard
50 A
1200 V
312 W
REACH Unaffected
350 ns
NPT and Trench
2.65V @ 15V, 50A
90 A
4.1mJ (on), 960µJ (off)
200 nC
50ns/190ns
TO-3P
FGA25N120ANTDTU_F109,FGA25N120ANTDTU_F109-ND
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA25N120
ROHS3 Compliant
Not Applicable
600V, 25A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 580-M10-A4
Бренд: J.W. Winco
Описание: STAINLESS STEEL LIFTING EYE BOLT, M10 Spade Head Bolt - Drive Stainless Steel
Подробнее
Артикул: FGH15T120SMD-F155
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 30A 333W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 333 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRGS4B60KD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 63W D2PAK, IGBT NPT 600 V 11 A 63 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: STF11NM80
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP, N-Channel 800 V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: 2N6667
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1202-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.250" (31.75mm) 1 1/4" -
Подробнее