г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi

Артикул
FGA25N120ANTDTU-F109
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 50A 312W TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
Цена
625 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA25N120ANTDTU-F109.jpg
Standard
50 A
1200 V
312 W
REACH Unaffected
350 ns
NPT and Trench
2.65V @ 15V, 50A
90 A
4.1mJ (on), 960µJ (off)
200 nC
50ns/190ns
TO-3P
FGA25N120ANTDTU_F109,FGA25N120ANTDTU_F109-ND
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA25N120
ROHS3 Compliant
Not Applicable
600V, 25A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1157-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 5/16 RD X 3/8 X .166 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: BZX55C5V1
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO-34, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: BZV55-C8V2,135
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW LLDS, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±5% Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее
Артикул: IRF7842TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO, N-Channel 40 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 1355-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: MURA110
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA, Diode Standard 100 V 2A Surface Mount SMA (DO-214AC)
Подробнее