г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA25S125P-SN00337 Fairchild Semiconductor

Артикул
FGA25S125P-SN00337
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT Trench Field Stop 1250 V 50 A 250 W Through Hole TO-3PN
Цена
479 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA25S125P-SN00337.jpg
250 W
1250 V
50 A
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Trench Field Stop
2.35V @ 15V, 25A
75 A
1.09mJ (on), 580µJ (off)
204 nC
TO-3PN
Standard
-
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
0000.00.0000
2156-FGA25S125P-SN00337,ONSFSCFGA25S125P-SN00337
1
24ns/502ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: NE5511279A-T1-A
Бренд: CEL
Описание: FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG, RF Mosfet LDMOS 7.5 V 400 mA 900MHz 15dB 40dBm 79A
Подробнее
Артикул: NDC7003P
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 340mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: IRF8113PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO, N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFI4229PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB, N-Channel 250 V 19A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FJP13009H2
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 12A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 4MHz 100 W Through Hole TO-220-3
Подробнее