г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA30S120P onsemi

Артикул
FGA30S120P
Бренд
onsemi
Описание
IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN, IGBT Trench Field Stop 1300 V 60 A 348 W Through Hole TO-3PN
Цена
1 147 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA30S120P.jpg
Standard
60 A
1300 V
348 W
REACH Unaffected
Trench Field Stop
2.3V @ 15V, 30A
150 A
-
78 nC
-
TO-3PN
Not Applicable
-
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA30S120
ROHS3 Compliant
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IAUT300N10S5N015ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF, N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Подробнее
Артикул: HUF76645P3
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3, N-Channel 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N4108
Бренд: Microchip Technology
Описание: ZENER DIODE, Zener Diode 14 V 400 mW ±5% Surface Mount DO-213AA
Подробнее
Артикул: DMA30E1800HA
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1800V 30A TO247, Diode Standard 1800 V 30A Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: IPA60R190P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: SJ5001
Бренд: 3M
Описание: BUMPER CYLINDRICAL 0.5" DIA BLK, Bumper Cylindrical, Tapered 0.500" Dia (12.70mm) Polyurethane Black
Подробнее