г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA50N100BNTD2 onsemi

Артикул
FGA50N100BNTD2
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1000V 50A 156W TO3P, IGBT NPT and Trench 1000 V 50 A 156 W Through Hole TO-3P
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA50N100BNTD2.jpg
50 A
1000 V
156 W
REACH Unaffected
75 ns
NPT and Trench
2.9V @ 15V, 60A
200 A
-
257 nC
34ns/243ns
Standard
TO-3P
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA50N100
ROHS3 Compliant
600V, 60A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5350B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 13V 5W AXIAL, Zener Diode 13 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: B0530W-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123, Diode Schottky 30 V 500mA Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: IRG4PF50WDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BC857BW,115
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS PNP 45V 100MA SOT323, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: SPP02N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: R2000-T
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GEN PURP 2KV 1A DO41, Diode Standard 1A Through Hole DO-41
Подробнее