г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA50N100BNTD2 onsemi

Артикул
FGA50N100BNTD2
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1000V 50A 156W TO3P, IGBT NPT and Trench 1000 V 50 A 156 W Through Hole TO-3P
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA50N100BNTD2.jpg
50 A
1000 V
156 W
REACH Unaffected
75 ns
NPT and Trench
2.9V @ 15V, 60A
200 A
-
257 nC
34ns/243ns
Standard
TO-3P
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA50N100
ROHS3 Compliant
600V, 60A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: B30-R10000
Бренд: Brady
Описание: R10000 PRINTER RIBBON 200' BK,
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: BZX84C8V2-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23-3, Zener Diode 8.2 V 300 mW ±6% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MS3456W20-22S
Бренд: Conesys
Описание: MS3456W20-22S,
Подробнее
Артикул: IRGP30B120KD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 60 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: R5009FNX
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM, N-Channel 500 V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Подробнее