г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA50N100BNTD2 onsemi

Артикул
FGA50N100BNTD2
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1000V 50A 156W TO3P, IGBT NPT and Trench 1000 V 50 A 156 W Through Hole TO-3P
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA50N100BNTD2.jpg
50 A
1000 V
156 W
REACH Unaffected
75 ns
NPT and Trench
2.9V @ 15V, 60A
200 A
-
257 nC
34ns/243ns
Standard
TO-3P
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA50N100
ROHS3 Compliant
600V, 60A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBRD340T4G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK, Diode Schottky 40 V 3A Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 12CWQ10FN
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Подробнее
Артикул: I-63CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .250,L= 1.69,W= .031,
Подробнее
Артикул: MM3Z3V3B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: ZENER DIODE, 3.3V, 2%, 0.2W, UNI, Zener Diode 3.3 V 200 mW ±2% Surface Mount SOD-323F
Подробнее
Артикул: 2N2907A
Бренд: Microchip Technology
Описание: TRANSISTOR PNP 60V 0.8AMP TO-18, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA - 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: FQPF27P06
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 17A TO220F, P-Channel 60 V 17A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее