г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA50N100BNTDTU onsemi

Артикул
FGA50N100BNTDTU
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1000V 50A 156W TO3P, IGBT NPT and Trench 1000 V 50 A 156 W Through Hole TO-3P
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA50N100BNTDTU.jpg
50 A
1000 V
156 W
REACH Unaffected
1.5 µs
NPT and Trench
2.9V @ 15V, 60A
100 A
-
275 nC
-
Standard
TO-3P
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA50N100
ROHS3 Compliant
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-36MT100
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 3PHASE 1KV 35A D-63, Bridge Rectifier Three Phase Standard 1 kV QC Terminal D-63
Подробнее
Артикул: RN141CMT2R
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: PIN DIODE 50V 100MA VMN2M, RF Diode
Подробнее
Артикул: DTA144EET1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: MRF559
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X, RF Transistor NPN 16V 150mA 870MHz 2W Surface Mount Macro-X
Подробнее
Артикул: 2N4338
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA, JFET N-Channel 50 V 300 mW Through Hole TO-206AA (TO-18)
Подробнее
Артикул: ZHCS350TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD523, Diode Schottky 40 V 350mA (DC) Surface Mount SOD-523
Подробнее