г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA50N100BNTDTU onsemi

Артикул
FGA50N100BNTDTU
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1000V 50A 156W TO3P, IGBT NPT and Trench 1000 V 50 A 156 W Through Hole TO-3P
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA50N100BNTDTU.jpg
50 A
1000 V
156 W
REACH Unaffected
1.5 µs
NPT and Trench
2.9V @ 15V, 60A
100 A
-
275 nC
-
Standard
TO-3P
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA50N100
ROHS3 Compliant
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJE3439
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 300 mA 15MHz 15 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: CHA-0093
Бренд: TE Connectivity
Описание: CHA-0093,
Подробнее
Артикул: MMBFJ309LT1G
Бренд: onsemi
Описание: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3, RF Mosfet N-Channel JFET - - - SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MBR20200CT
Бренд: DComponents
Описание: SchottkyD, 200V, 20A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRAMS10UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR INTELLIGENT 10A 600V, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BZV55-C20,115
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 20V 500MW LLDS, Zener Diode 20 V 500 mW ±5% Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее