г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA50N100BNTDTU onsemi

Артикул
FGA50N100BNTDTU
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1000V 50A 156W TO3P, IGBT NPT and Trench 1000 V 50 A 156 W Through Hole TO-3P
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGA50N100BNTDTU.jpg
50 A
1000 V
156 W
REACH Unaffected
1.5 µs
NPT and Trench
2.9V @ 15V, 60A
100 A
-
275 nC
-
Standard
TO-3P
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGA50N100
ROHS3 Compliant
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FBS16-06SC
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 1P 600V 11A I4-PAC, Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 600 V Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Подробнее
Артикул: STGYA120M65DF2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S, IGBT NPT, Trench Field Stop 650 V 160 A 625 W Through Hole MAX247™
Подробнее
Артикул: DTA124EET1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: IXTQ69N30P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 300V 69A TO3P, N-Channel 300 V 69A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: IPW60R041P6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3, N-Channel 600 V 77.5A (Tc) 481W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BUL743
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 500V 12A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 500 V 12 A - 100 W Through Hole TO-220
Подробнее