г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGH50N6S2 onsemi

Артикул
FGH50N6S2
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 75A 463W TO247, IGBT - 600 V 75 A 463 W Through Hole TO-247-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGH50N6S2.jpg
Standard
75 A
600 V
463 W
REACH Unaffected
-
2.7V @ 15V, 30A
240 A
260µJ (on), 250µJ (off)
70 nC
13ns/55ns
TO-247-3
FGH50N6S2-NDR,FGH50N6S2_NL,FGH50N6S2_NL-ND
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
150
FGH50
1 (Unlimited)
390V, 30A, 3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1113-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: 1N5393
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15, Diode Standard 200 V 1.5A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: MJD117
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: DSEC16-02A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 8A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MRFX1K80HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S, RF Mosfet LDMOS (Dual) 65 V 200 mA 1.8MHz ~ 470MHz 24dB 1800W NI-1230-4H
Подробнее
Артикул: 1258-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее