г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGH80N60FDTU onsemi

Артикул
FGH80N60FDTU
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 80A 290W TO247, IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247-3
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGH80N60FDTU.jpg
Standard
80 A
600 V
290 W
REACH Unaffected
36 ns
Field Stop
2.4V @ 15V, 40A
160 A
1mJ (on), 520µJ (off)
120 nC
21ns/126ns
TO-247-3
FGH80N60FDTUOS,FGH80N60FDTU-ND
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
30
FGH80
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
400V, 40A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STT818B
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP 30V 3A SOT23-6, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 3 A - 1.2 W Surface Mount SOT-23-6L
Подробнее
Артикул: STF13NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP, N-Channel 600 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: BUZ30AHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFBC30PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB, N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MBRB10100CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 10A D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 5A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: IMZ120R030M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4, N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее