FGL60N100BNTD onsemi

Артикул

FGL60N100BNTD

Бренд

onsemi

Описание

1000V, 60A, NPT TRENCH IGBT, IGBT

Цена

723 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные

files/FGL60N100BNTD.jpg

Bulk

Active

Vendor Undefined

REACH Unaffected

2156-FGL60N100BNTD-488

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SPP17N80C3XKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Артикул: MRFE6VP100HR5

Бренд: NXP Semiconductors

Описание: RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4, RF Mosfet LDMOS 50 V 100 mA 512MHz 26dB 100W NI-780-4

Артикул: FDP8440

Бренд: Fairchild Semiconductor

Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 40 V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220-3

Артикул: 1453-8-N

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 2.000" (50.80mm) 2" -

Артикул: NTB90N02

Бренд: onsemi

Описание: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK, N-Channel 24 V 90A (Ta) 85W (Tc) Surface Mount D?PAK

Артикул: 1467-6-N

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.938" (23.83mm) 15/16" -

Похожие товары