г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGY40T120SMD onsemi

Артикул
FGY40T120SMD
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 80A TO-247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 882 W Through Hole TO-247
Цена
1 079 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGY40T120SMD.jpg
80 A
1200 V
882 W
REACH Unaffected
65 ns
Trench Field Stop
2.4V @ 15V, 40A
160 A
2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
370 nC
40ns/475ns
Standard
TO-247
Not Applicable
-
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
450
FGY40T120
ROHS3 Compliant
600V, 40A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MCL4448-TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GP 75V 150MA MICROMELF, Diode Standard 75 V 150mA Surface Mount MicroMELF
Подробнее
Артикул: CSD17507Q5A
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON, N-Channel 30 V 13A (Ta), 65A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Подробнее
Артикул: SST3904T116
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN 40V 0.2A SST3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 350 mW Surface Mount SST3
Подробнее
Артикул: 1304-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.813" (46.04mm) -
Подробнее
Артикул: 2N6213
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS PNP 350V 2A 35W TO-66, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 2 A 20MHz 35 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: SPD09P06PL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3, P-Channel 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее