г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGY75T120SQDN onsemi

Артикул
FGY75T120SQDN
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 75A UFS, IGBT Field Stop 1200 V 150 A 790 W Through Hole TO-247-3
Цена
1 936 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/FGY75T120SQDN.jpg
Standard
150 A
1200 V
790 W
REACH Unaffected
99 ns
Field Stop
1.95V @ 15V, 75A
300 A
6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
399 nC
64ns/332ns
TO-247-3
FGY75T120SQDNOS
-
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3 Variant
EAR99
8541.29.0095
30
FGY75
ROHS3 Compliant
Not Applicable
600V, 75A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MS2422
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138, RF Transistor NPN 65V 22A 960MHz ~ 1.215GHz 875W Chassis Mount M138
Подробнее
Артикул: MTZJ12C
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: ZENER 500MW, CASE TYPE: DO-34 GL, Zener Diode 12 V 500 mW ±2.5% Through Hole DO-34
Подробнее
Артикул: 1336-6-AL-6
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERGOLD IRIDITE1/4 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.500" (12.70mm) 1/2" Gold
Подробнее
Артикул: BC849BW
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT SOT-323 30V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: STTH8R03DJF-TR
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 300V 8A POWERFLAT, Diode Standard 300 V 8A Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Подробнее
Артикул: MJW21194G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 16A TO247, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-247-3
Подробнее