г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FJP13007H1 onsemi

Артикул
FJP13007H1
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 400V 8A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/FJP13007H1.jpg
TO-220-3
NPN
8 A
400 V
3V @ 2A, 8A
-
15 @ 2A, 5V
80 W
4MHz
1 (Unlimited)
FJP13007
-
Tube
Obsolete
150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
200
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1520-E-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL3/1, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: SLA4390
Бренд: Sanken
Описание: TRANS 2NPN/2PNP DARL 100V 12SIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) 100V 5A - 5W Through Hole 12-SIP
Подробнее
Артикул: NVHL020N120SC1
Бренд: onsemi
Описание: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3, N-Channel 1200 V 103A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRFHM8329TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN, N-Channel 30 V 16A (Ta), 57A (Tc) 2.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, IGBT Trench 1200 V 50 A 349 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: RF051UA1DTR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE ARRAY GP 100V 500MA TSMD6, Diode Array 2 Independent Standard 100 V 500mA Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Подробнее