г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP40R12KT3BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP40R12KT3BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Цена
19 466 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FP40R12KT3BOSA1.jpg
INFINFFP40R12KT3BOSA1,SP000100447,2156-FP40R12KT3BOSA1,FP40R12KT3-ND,FP40R12KT3
Three Phase Inverter
210 W
1200 V
55 A
Standard
-
2.3V @ 15V, 40A
Yes
5 mA
FP40R12
Chassis Mount
10
-
Bulk
Discontinued at Digi-Key
-40°C ~ 125°C
Module
Module
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAR43C
Бренд: onsemi
Описание: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 2 ELE, Diode
Подробнее
Артикул: 0188-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS9/16HD X, #12-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: NTD80N02
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK, N-Channel 24 V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 160MT120KB
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 160A MTK, Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.2 kV Chassis Mount MTK
Подробнее
Артикул: SFA1008G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC, Diode Standard 600 V 10A (DC) Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: PD85015-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: FET RF 40V 870MHZ, RF Mosfet LDMOS 13.6 V 150 mA 870MHz 16dB 15W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Подробнее