г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP50R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP50R12KT4B16BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 100A 280W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A 280 W Chassis Mount Module
Цена
32 412 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FP50R12KT4B16BOSA1.jpg
FP50R12
SP000724948,FP50R12KT4_B16,INFINFFP50R12KT4B16BOSA1,2156-FP50R12KT4B16BOSA1
Three Phase Inverter
280 W
1200 V
100 A
Three Phase Bridge Rectifier
Trench Field Stop
2.25V @ 15V, 50A
Yes
1 mA
Chassis Mount
10
-
Tray
Active
-40°C ~ 150°C
Module
Module
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2.8 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMBTA93LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 200V 0.5A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 200 V 500 mA 50MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRGB15B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 208W TO220AB, IGBT NPT 600 V 31 A 208 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1360-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/4 HEX X 2, Hex Spacer Unthreaded - Steel 2.000" (50.80mm) 2" -
Подробнее
Артикул: MRF1K50HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: HIGH POWER RF TRANSISTOR, RF Mosfet LDMOS 1.8MHz ~ 500MHz 22.5dB 1500W NI-1230-4H
Подробнее
Артикул: IRF9620
Бренд: Harris
Описание: 3.5A, 200V, 1.500 OHM, P-CHANNEL, P-Channel 200 V 3.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF450R12ME4PBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 450A, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 450 A Chassis Mount Module
Подробнее