г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP50R12KT4GBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 50A 280W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 50 A 280 W Chassis Mount Module
Цена
24 372 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FP50R12KT4GBOSA1.jpg
2156-FP50R12KT4GBOSA1,SP000879284,FP50R12KT4G,FP50R12KT4G-ND,INFINFFP50R12KT4GBOSA1
Three Phase Inverter
280 W
1200 V
50 A
Standard
Trench Field Stop
2.15V @ 15V, 50A
Yes
1 mA
FP50R12
Chassis Mount
10
-
Bulk
Active
-40°C ~ 150°C
Module
Module
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2.8 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FMM150-0075X2F
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 75V 120A 170W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Подробнее
Артикул: VS-36MB160A
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 35A D-34, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
Подробнее
Артикул: A-USB-REP
Бренд: Assmann
Описание:

CABLE USB REPEATER 5M,

Подробнее
Артикул: 1N4934G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41, Diode Standard 100 V 1A (DC) Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: BUB323ZG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 10 A 2MHz 150 W Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: GBPC2510W
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBPC-W
Подробнее