г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQA9P25 onsemi

Артикул
FQA9P25
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P, P-Channel 250 V 10.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
Цена
344 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FQA9P25.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
250 V
10.5A (Tc)
10V
620mOhm @ 5.25A, 10V
5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±30V
1180 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
TO-3P
FQA9P25FS,FQA9P25-ND
QFET®
Tube
Last Time Buy
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
EAR99
8541.29.0095
30
FQA9
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PSR12-2-2-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1/8"X1/8" ALUMINUM BEAM CPLNG,
Подробнее
Артикул: BAS1603WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323, Diode Standard 80 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: MBRT20060
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: DIODE MODULE 60V 100A 3TOWER, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 100A Chassis Mount Three Tower
Подробнее
Артикул: IPB060N15N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7, N-Channel 150 V 136A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее
Артикул: IRGB4610DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 77W TO220, IGBT - 600 V 16 A 77 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1292-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее