г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQB9P25TM onsemi

Артикул
FQB9P25TM
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK, P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Цена
179 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FQB9P25TM.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
250 V
9.4A (Tc)
10V
620mOhm @ 4.7A, 10V
5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±30V
1180 pF @ 25 V
-
3.13W (Ta), 120W (Tc)
D?PAK (TO-263)
FQB9P25TMDKR,FQB9P25TM-ND,FQB9P25TMTR,FQB9P25TMCT
QFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
EAR99
8541.29.0095
800
FQB9
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF9410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO, N-Channel 30 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: KSP13BU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MJE350STU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: IRG4PH50UDPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: ULTRAFAST COPACK IGBT W/ULTRAFAS, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: DF08S2
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A 4SDIP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Surface Mount 4-SDIP
Подробнее
Артикул: BU323Z
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 10 A 2MHz 150 W Through Hole SOT-93
Подробнее