г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQD1N80TM onsemi

Артикул
FQD1N80TM
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK, N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
140 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FQD1N80TM.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
800 V
1A (Tc)
10V
20Ohm @ 500mA, 10V
5V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±30V
195 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 45W (Tc)
TO-252AA
2156-FQD1N80TM-OS,FQD1N80TM-ND,ONSONSFQD1N80TM,FQD1N80TMDKR,FQD1N80TMCT,FQD1N80TMTR
QFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
EAR99
8541.29.0095
2,500
FQD1N80
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-10CTQ150-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V 5A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1389-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.875" (47.63mm) 1 7/8" -
Подробнее
Артикул: MMBT2222A-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1155-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: APT40GP90BG
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 900V 100A 543W TO247, IGBT PT 900 V 100 A 543 W Through Hole TO-247 [B]
Подробнее
Артикул: BC807-40,235
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NOW NEXPERIA BC807-40 - SMALL SI, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 80MHz 250 mW Surface Mount SOT-23
Подробнее