г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQN1N50CTA onsemi

Артикул
FQN1N50CTA
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3, N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FQN1N50CTA.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
500 V
380mA (Tc)
10V
6Ohm @ 190mA, 10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±30V
195 pF @ 25 V
-
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
TO-92-3
FQN1N50CTA-ND,FQN1N50CTACT,FQN1N50CTADKRINACTIVE,FQN1N50CTADKR,2156-FQN1N50CTA-OS,FQN1N50CTADKR-ND,FQN1N50CTATB
QFET®
Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
EAR99
8541.29.0095
2,000
FQN1N50
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1SNA115143R1200
Бренд: TE Connectivity
Описание: M70/31.FF,
Подробнее
Артикул: A2G35S200-01SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet GaN HEMT 48 V 291 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Подробнее
Артикул: 11053A
Бренд: Essentra Components
Описание: UNF THREADED PROTECTION CAP, COM, Hole Plug - Low-Density Polyethylene Red
Подробнее
Артикул: SDM10U45LP-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 2DFN, Diode Schottky 40 V 100mA Surface Mount X1-DFN1006-2
Подробнее
Артикул: 40L15CT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 15 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJD3055T4G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 10A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 2MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее