г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQP10N60C Fairchild Semiconductor

Артикул
FQP10N60C
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3, N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FQP10N60C.jpg
-
600 V
9.5A (Tc)
730mOhm @ 4.75A, 10V
4V @ 250µA
57 nC @ 10 V
2040 pF @ 25 V
MOSFET (Metal Oxide)
10V
±30V
N-Channel
TO-220-3
TO-220-3
QFET®
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
50
2156-FQP10N60C-FS,FAIFSCFQP10N60C
156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ZVP2106A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3, P-Channel 60 V 280mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: IRF9640
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB, P-Channel 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: WD-2801
Бренд: WEC
Описание: POWER CADDY 16/3 25 W/REEL,
Подробнее
Артикул: 2N4398
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 40V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 30 A 4MHz 5 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: HGT1S12N60A4DS
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 54A 167W D2PAK, IGBT - 600 V 54 A 167 W Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: SS9018HBU
Бренд: onsemi
Описание: RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3, RF Transistor NPN 15V 50mA 1.1GHz 400mW Through Hole TO-92-3
Подробнее