г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQP12N60C onsemi

Артикул
FQP12N60C
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3, N-Channel 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
599 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FQP12N60C.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
12A (Tc)
10V
650mOhm @ 6A, 10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2290 pF @ 25 V
-
225W (Tc)
N-Channel
TO-220-3
Not Applicable
QFET®
Tube
Last Time Buy
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
50
FQP12
ROHS3 Compliant
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ES2G-E3/5BT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA, Diode Standard 400 V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: CGRA4001-G
Бренд: Comchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC, Diode Standard 50 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: 7207-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN STEEL5/16HD X 1, 1/4"-20 Knob Thumb Screw - Drive Steel
Подробнее
Артикул: FDMC2523P
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, P-Channel 150 V 3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: ZTX853
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 100V 4A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 130MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: IRAM136-3063B
Бренд: International Rectifier
Описание: 30A, 600V IMOTION POWER, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее