г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQP2N60C onsemi

Артикул
FQP2N60C
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3, N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
117 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FQP2N60C.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
2A (Tc)
10V
4.7Ohm @ 1A, 10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±30V
235 pF @ 25 V
-
54W (Tc)
TO-220-3
FAIFSCFQP2N60C,FQP2N60C-ND,2156-FQP2N60C-OS,FQP2N60CFS
QFET®
Tube
Last Time Buy
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
1,000
FQP2
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SC3264
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN 230V 17A MT200, Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 17 A 60MHz 200 W Through Hole MT-200
Подробнее
Артикул: GB02SLT12-214
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 2A (DC) Surface Mount DO-214AA
Подробнее
Артикул: 60EPF04
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC, Diode Standard 400 V 60A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: IKW75N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: 1415-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: 1131-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее