г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQP6N80C Fairchild Semiconductor

Артикул
FQP6N80C
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
158 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FQP6N80C.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
800 V
5.5A (Tc)
2.5Ohm @ 2.75A, 10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
1310 pF @ 25 V
-
N-Channel
158W (Tc)
TO-220-3
QFET®
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
0000.00.0000
ONSFSCFQP6N80C,2156-FQP6N80C
1
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5405
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD, Diode Standard 500 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: CZRU52C3V3
Бренд: Comchip Technology
Описание: DIODE ZENER 3.3V 150MW 0603, Zener Diode 3.3 V 150 mW ±5% Surface Mount 0603/SOD-523F
Подробнее
Артикул: FQD12N20LTM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK, N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: NE3515S02-T1C-A
Бренд: CEL
Описание: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
Подробнее
Артикул: 16CTQ100-1
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 8A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Подробнее
Артикул: 2N2905A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-AF OUTPUT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA - 600 mW Through Hole TO-39
Подробнее