г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQPF12P10 Fairchild Semiconductor

Артикул
FQPF12P10
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F, P-Channel 100 V 8.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FQPF12P10.jpg
8.2A (Tc)
P-Channel
100 V
10V
290mOhm @ 4.1A, 10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±30V
800 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
TO-220F-3
TO-220-3 Full Pack
QFET®
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
50
FAIFSCFQPF12P10,2156-FQPF12P10-FS
38W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AOK30B60D1
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

IGBT 600V 60A 208W TO247, IGBT - 600 V 60 A 208 W Through Hole TO-247

Подробнее
Артикул: 1238-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: 1N5386B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 180V 5W AXIAL, Zener Diode 180 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MRF8VP13350GNR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS RF LDMOS 350W 50V, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 1.3GHz 19.2dB 350W OM-780G-4L
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.5 A 34 W Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: DSEI12-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC, Diode Standard 1200 V 11A Through Hole TO-220AC
Подробнее