г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS200T12A1T4BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS200T12A1T4BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MODULE IGBT HYBRID PK, IGBT Module - - - -
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
-
-
-
SP000840730
-
1
0000.00.0000
OBSOLETE
1 (Unlimited)
-
-
-
Obsolete
Tray
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SMZJ3788B-E3/52
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 9.1V 1.5W DO214AA, Zener Diode 9.1 V 1.5 W ±5% Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Подробнее
Артикул: FDPF51N25
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F, N-Channel 250 V 51A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 1126-2-S-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC1/4 RD X 3, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.375" (9.53mm) 3/8" Clear
Подробнее
Артикул: L401E3
Бренд: Littelfuse
Описание: TRIAC SENS GATE 400V 1A TO92, TRIAC Logic - Sensitive Gate 400 V 1 A Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N4757A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 51V 1W DO41, Zener Diode 51 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: TIP121
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 5 A 4MHz 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее