г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS200T12A1T4BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS200T12A1T4BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MODULE IGBT HYBRID PK, IGBT Module - - - -
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
-
-
-
SP000840730
-
1
0000.00.0000
OBSOLETE
1 (Unlimited)
-
-
-
Obsolete
Tray
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDMA3028N
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.8A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Подробнее
Артикул: BZT52B12
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123F, Zener Diode 12 V 500 mW ±2% Surface Mount SOD-123F
Подробнее
Артикул: SPB-31-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1-15/16" ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: IFS150B12N3E4PB11BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 300A 750W, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 300 A 750 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BZM55C5V1-TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW MICROMELF, Zener Diode 5.1 V 500 mW - Surface Mount MicroMELF
Подробнее
Артикул: STP310N10F7
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N CH 100V 180A TO-220, N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее