г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FZ900R12KE4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FZ900R12KE4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 900A 4300W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 4300 W Chassis Mount Module
Цена
37 996 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FZ900R12KE4HOSA1.jpg
FZ900R12
FZ900R12KE4-ND,SP000524466,FZ900R12KE4
Single
4300 W
1200 V
900 A
Standard
Trench Field Stop
2.1V @ 15V, 900A
No
5 mA
Chassis Mount
10
C
Bulk
Active
-40°C ~ 150°C (TJ)
Module
Module
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
56 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STTH3L06U
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB, Diode Standard 600 V 3A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: DTC124E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: PX-313
Бренд: Brainboxes
Описание: 2 X RS422/485 PCI EXPRESS SERIAL, RS-422, RS-485 Adapter Cards PCI Express
Подробнее
Артикул: 0973-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STAINLESS STE, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Stainless Steel
Подробнее
Артикул: FQA7N80
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P, N-Channel 800 V 7.2A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: APT30DQ120BG
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247, Diode Standard 1200 V 30A Through Hole TO-247 [B]
Подробнее