г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

GA200SA60S VISHAY

Артикул
GA200SA60S
Бренд
VISHAY
Описание
IGBT MOD 600V 200A 630W SOT227B, IGBT Module - Single 600 V 200 A 630 W Chassis Mount SOT-227B
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/GA200SA60S.jpg
Chassis Mount
Single
630 W
Standard
-
600 V
200 A
1.3V @ 15V, 100A
1 mA
16.25 nF @ 30 V
10
VSGA200SA60S,VSGA200SA60S-ND,VS-GA200SA60S,VS-GA200SA60S-ND,*GA200SA60S
8541.29.0095
-
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
GA200
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
No

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-10ETS08-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC, Diode Standard 800 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: DDA144EU-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Подробнее
Артикул: FEP16FT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 300V 16A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 300 V 16A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRFPS3815PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: PFET, 105A I(D), 150V, 0.015OHM,, N-Channel 150 V 105A (Tc) 441W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: 2SC5100
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN 120V 8A TO3PF, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 8 A 20MHz 75 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: F-483-C
Бренд: GC Electronics
Описание: 8-32 X1 1/4 STEEL ROUNDHEAD,
Подробнее