г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor

Артикул
GA50JT12-247
Бренд
GeneSiC Semiconductor
Описание
TRANS SJT 1200V 100A TO247AB, - 1200 V 100A (Tc) 583W (Tc) Through Hole TO-247AB
Цена
17 053 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/GA50JT12-247.jpg
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
-
1200 V
100A (Tc)
-
25mOhm @ 50A
-
-
7209 pF @ 800 V
-
30
GA50JT12247,1242-1191
8541.29.0095
-
Tube
Obsolete
175°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247AB
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
583W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFB3307ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB, N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MMBT3906,215
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS PNP 40V 200MA TO236AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: APT40GP90B2DQ2G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 900V 101A 543W TMAX, IGBT PT 900 V 101 A 543 W Through Hole
Подробнее
Артикул: NTMTS001N06CTXG
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW, N-Channel 60 V 53.7A (Ta), 376A (Tc) 5W (Ta), 244W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Подробнее
Артикул: STGW28IH125DF
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 1250V 60A 375W TO-247, IGBT Trench Field Stop 1250 V 60 A 375 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: BD243C
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 100V 6A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A - 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее